Neue Generation externer Speicherkarten

grasil am Freitag 8. Juli 2016 06:14:03

Neue Generation externer Speicherkarten

Die UFS-Speicherkarten von Samsung sollen bis zu 20 Mal schneller lesen als normale MicroSD-Karten.

(CCM) — Samsung hat die weltweit ersten externen Speicherkarten auf Basis des UFS-Standards vorgestellt. Die Universal Fast Storage Cards sollen mit Kapazitäten von 32, 64, 128 und 256 Gigabyte auf den Markt kommen. Sie sehen aus wie Micro-SD-Karten nach UHS-Standard, sind aber nicht kompatibel, weil die PIN-Belegung und die Zahl der Kontakte unterschiedlich sind. Sie passen also nicht in die Micro-SD-Slots herkömmlicher Kameras, Notebooks und Smartphones.

Die 256-GB-Version soll laut Samsung eine Lesegeschwindigkeit von 530 Megabyte pro Sekunde und eine Schreibgeschwindigkeit 170 Megabyte pro Sekunde haben. Zum Vergleich: Die schnellste Micro-SD-Karte von Sandisk erreicht 100 und 95 Megabyte pro Sekunde. Noch größer ist der Unterschied bei den Input-/Output-Operationen pro Sekunde: Die neuen UFS-Karten schaffen bis zu 40.000 lesend und bis zu 35.000 schreibend. Micro-SD-Karten erreichen im Durchschnitt nur IOPS bis zu 2.000 lesend und 100 schreibend.

Die UFS-Karten lesen also rund 20 Mal und schreiben rund 350 Mal schneller. Mit dieser Leistung lassen sich laut Samsung zum Beispiel JPEG-Fotos von einem Gigabyte innerhalb von sieben statt 32 Sekunden abspeichern. Auch der Zugriff auf die Daten der externen Karten ist nicht mehr merklich langsamer als auf den internen Speicher. Noch müssen die Nutzer aber warten, bis auch die Gerätehersteller nachziehen.

Foto: © Samsung.



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