Samsung bringt 256-Gigabyte-Flashspeicher

Hay-Tun am Freitag 26. Februar 2016 10:29:49

Samsung bringt 256-Gigabyte-Flashspeicher

Samsung hat die Massenproduktion von 256 Gigabyte großem Universal Flash Storage (UFS) für Smartphones gestartet.

Mit einer sequentiellen Leserate von bis zu 850 Megabyte/s erreichen die neuen Speicherchips Samsung zufolge fast die doppelte Lesegeschwindigkeit herkömmlicher SSDs. Die Schreiberate von maximal 260 Megabyte/s ist sogar dreimal so groß wie bei externen MicroSD-Karten. "Der Chip wird in der nächsten Generation auf Premium-Smartphones zum Einsatz kommen", sagte ein Samsung-Sprecher.

Die 256-Gigabyte-Speichermodule basieren auf Samsungs eigener V-NAND-Flash-Technik. Die Leistung beim zufälligen Lesen und Schreiben von Daten gibt der südkoreanische Hersteller mit bis zu 45.000 respektive 40.000 Ein-/Ausgabebefehlen pro Sekunde (IOPS) an. Bei der Vorgängergeneration lagen die Werte noch bei lediglich 19.000 beziehungsweise 14.000 IOPS.

Die neuen Chips sollen dank ihrer hohen Geschwindigkeit problemlos die fließende Wiedergabe von Ultra-HD-Videos und Multitasking-Funktionen auf großen Mobilgeräten ermöglichen. Beispielsweise könne auf einem geteilten Display gleichzeitig eine 4K-Videodatei angesehen und nach Dateien gesucht oder heruntergeladen werden.

Foto: © iStock.



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